MT40A512M16TB-062E: R X16 və X4 və X8 konfiqurasiyasında 16 dəst DRAM-da daxili dram, daxili dram kimi daxili olaraq konfiqurasiya edilmiş yüksək sürətli dinamik təsadüfi giriş yaddaşıdır. DDR4 SDRAM, yüksək sürətli işləməyə nail olmaq üçün 8n yeniləmə memarlığından istifadə edir. 8n prefetch memarlığı, i / o sancaqlar üzərində saat dövrünə iki məlumat sözünü ötürmək üçün hazırlanmış bir interfeys ilə birləşdirilmişdir.
MT29F4G08ABBDAH4-IT: D Mikron Nand Flash cihazına yüksək effektiv i / o əməliyyatları üçün asinxron məlumat interfeysi daxildir. Bu qurğular əmrlər, ünvanları və məlumatları ötürmək üçün yüksək bir multiplexed 8 bitli avtobusdan (I / OX) istifadə edir.
MT25QL256ABA8E12-0AAT Serial Nor Norun Yaddaşının az sayda sancaqları var, sadə və istifadəsi asandır və kölgə tətbiqləri üçün uyğun sadə bir həlldir; İstehlakçı elektronika, sənaye, simli rabitə və hesablama tətbiqlərinin ehtiyaclarını ödəyə bilər. Bu cihaz, sənaye standart qablaşdırma, pin ayrılması, əmr dəsti və çipset uyğunluğu, müxtəlif dizaynlarda qəbul etməyi asanlaşdırır. Bu, mövcud və gələcək dizaynlarla uyğunluğu təmin edərkən dəyərli inkişaf vaxtını qənaət edə bilər.
MT40A2G8SA-062E: F, məhsulun başlanması vaxtını sürətləndirə və etibarlılığı ciddi şəkildə sınaqdan keçirilmiş yüksək keyfiyyətli dram modul həllərini təmin edə bilər.
BCM87400A1KRFBG, Broadcom-un aparıcı PAM-4 PHY texnologiya platformasını qəbul edir və NM CMOS texnologiyasından istifadə edərək sənayenin ilk 400G PAM-4 PHY Transceiverdir.
XCZU67DR-L2FFVE1156i, yüksək performanslı proqramlaşdırıla bilən sistem səviyyəsi və fpga (sahə proqramlaşdırıla bilən qapısı serial) quruluşları olan yüksək performanslı proqramlaşdırıla bilən sistem səviyyəsi (SOC) olan ZynQ-7000 seriyasına aiddir.
