Yarımkeçirici nədir

Yuxarıda göstərilən iki xüsusiyyətə malik olan bütün materiallar yarımkeçirici materialların əhatə dairəsinə təsnif edilə bilər. Yarımkeçiricilərin daxili əsas xassələrini əks etdirən, yarımkeçiricilərə təsir edən müxtəlif xarici amillərin, məsələn, işıq, istilik, maqnit, elektrik və s.-nin törətdiyi fiziki təsirlər və hadisələrdir ki, bunlara topluca yarımkeçirici materialların yarımkeçirici xassələri də demək olar. Bərk cisimli elektron cihazların əsas materiallarının əksəriyyəti yarımkeçiricilərdir. Məhz bu yarımkeçirici materialların müxtəlif yarımkeçirici xüsusiyyətləri müxtəlif növ yarımkeçirici cihazlara fərqli funksiyalar və xüsusiyyətlər verir. Yarımkeçiricilərin əsas kimyəvi xüsusiyyəti atomlar arasında doymuş kovalent bağların olmasıdır. Tipik bir kovalent bağ xüsusiyyəti olaraq, qəfəs quruluşunda tetraedraldır, buna görə tipik yarımkeçirici materiallar almaz və ya sink qarışığı (ZnS) quruluşuna malikdir. Yerin mineral ehtiyatlarının əksəriyyəti birləşmələr olduğundan, ilk istifadə olunan yarımkeçirici materiallar birləşmələrdir. Məsələn, galena (PBS) radio aşkarlanması üçün çoxdan istifadə edilmişdir, mis oksidi (Cu2O) bərk rektifikator kimi istifadə edilmişdir, sfalerit (ZnS) tanınmış bərk lüminesans materialdır və silisium karbidinin rektifikasiya və aşkarlama funksiyası ( SIC) də erkən istifadə edilmişdir. Selenium (SE) ilk kəşf edilmiş və istifadə edilmiş element yarımkeçiricidir, bir vaxtlar bərk cisim düzəldiciləri və fotosellər üçün vacib material idi. Element yarımkeçirici germaniumun (GE) gücləndirilməsinin kəşfi yarımkeçiricilər tarixində yeni bir səhifə açdı və elektron qurğular tranzistorizasiyanı həyata keçirməyə başladı. Çində yarımkeçiricilərin tədqiqi və istehsalı 1957-ci ildə yüksək təmizliyə malik (99,999999% - 99,999999%) germaniumun ilk hazırlanması ilə başladı. Elementar yarımkeçirici silikonun (SI) qəbulu nəinki tranzistorların növlərini və növlərini artırır və onların işini yaxşılaşdırır. , həm də irimiqyaslı və çox böyük miqyaslı inteqral sxemlər dövrünü açır. Qallium arsenid (GaAs) ilə təmsil olunan ⅲ - ⅴ birləşmələrin kəşfi mikrodalğalı cihazların və optoelektronik cihazların sürətli inkişafına kömək etdi.